1. EUVフォトレジストとは：先端半導体を支える中核材料
   EUVフォトレジストは、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を用いる露光工程に対応した感光性材料であり、先端半導体の微細化を支える重要な構成要素である。従来のArF液浸露光と比較して高い解像度を実現できる一方、材料には高感度、低い線幅粗さ（LWR）、優れたエッチング耐性など、厳しい性能が求められる。
   主な構成要素は感光剤、樹脂、添加剤などである。露光時の化学反応や副生成物を適切に制御する必要があり、分子設計、高純度合成、膜形成技術を組み合わせた高度な材料開発が競争力を左右する。
2. EUVフォトレジスト世界市場規模と成長予測
   YHResearchの最新市場調査によると、世界のEUVフォトレジスト市場は2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）22.7％で拡大し、2032年には市場規模が9.91億米ドルに達すると予測されている。
   
   この成長の背景には、先端ロジック半導体や高性能DRAMにおけるEUV露光の採用拡大がある。AI向け半導体、5G・次世代通信、自動運転などの需要増加に伴い、演算性能と電力効率を両立する微細加工技術への投資が進んでいる。さらに、半導体製造拠点の地域分散やサプライチェーン再編も、EUV関連材料の供給体制強化を促している。
   ※市場規模の推移は、YHResearch「2025～2031年のグローバルEUVフォトレジスト市場調査レポート」に基づく。
3. 技術競争の焦点：High-NA EUVと次世代レジスト
   今後の市場競争では、従来型の化学増幅型レジスト（CAR）に加え、金属酸化物レジスト（MOR）やドライレジストなどの次世代材料が重要になる。High-NA EUVでは解像度の向上が期待される一方、感度、解像度、線幅粗さのバランスや、確率的欠陥の抑制が課題となる。
   2026年6月に公表された研究レビューでは、MORが高いEUV吸収性とエッチング耐性を持つ次世代候補として整理された。また、気相浸透（VPI）、化学気相成長（CVD）、分子層堆積（MALD）などを活用したドライプロセスも、膜厚や均一性、パターン精度の改善手段として注目されている。
4. 2026年の企業・業界動向：材料供給網の強化
   2026年8月、ADEKAはEUVを含む先端露光向けフォトレジストに使用される光酸発生剤（PAG）の生産能力を増強すると発表した。千葉工場に新ラインを設け、現行比約2倍の生産能力を計画している。商業運転開始は2028年9月を予定しており、先端材料の安定供給に向けた投資といえる。
   また、imecは2026年9月、High-NA EUVを用いたCARベースの単一露光で、22nmピッチのライン・アンド・スペース構造などを形成した成果を公表した。従来型材料の適用可能性を広げる成果であり、次世代レジストの開発と既存材料の性能改善が並行して進むことを示している。
   さらに、2026年10月にはFUJIFILMの韓国・平沢拠点におけるEUVフォトレジスト生産と顧客認証の進展が報じられた。日本の材料メーカーによる顧客近接型の供給体制構築も、今後の競争を左右する要素となる。
5. 市場拡大に伴う課題と今後の展望
   EUVフォトレジスト市場では、材料性能だけでなく、金属汚染を抑える超高純度管理、ロット間品質の安定性、原材料の調達継続性が重要となる。半導体工場では材料変更に長期の評価・認証が必要となるため、供給企業には研究開発力と量産品質、顧客との共同開発体制が求められる。
   今後はAI、IoT、量子コンピューティング、次世代通信の発展を背景に、先端半導体の高性能化と省電力化が一段と進むと考えられる。EUVフォトレジスト企業にとっては、CARの高度化に加え、MORやドライレジストなど新材料の実用化、地域別の供給網整備が成長機会となる。市場の競争軸は、単なる材料販売から、露光・現像・エッチング工程を含めたプロセス最適化へと広がっていくだろう。

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