半導体用フォトレジスト市場の成長展望｜EUV・DUV露光と先端半導体製造
図. 半導体用フォトレジストの製品画像

半導体用フォトレジスト市場の規模と需要構造
半導体用フォトレジスト市場は、AI向けロジック・メモリーの高性能化と微細化を背景に拡大している。YH Researchによると、世界市場は2025年の35億5,000万米ドルから2032年に53億5,400万米ドルへ成長し、2026～2032年のCAGRは6.1％と予測される。フォトレジストは光に反応する感光性材料であり、フォトマスクの回路パターンをシリコンウエハーへ転写するフォトリソグラフィに不可欠である。
図.  半導体用フォトレジスト世界総市場規模

上記の図表／データは、YHResearchの最新レポート「グローバル半導体用フォトレジストのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2026」から引用されています。
2025年の製品構成はDUV中心で、ArFi約26.1％、KrF約25.5％、g/i-Line約24.6％を合わせて約76％を占める。EUV向けは約11.2％ながら、最も高い成長率を示す。先端工程でも全層がEUV化するわけではなく、重要な微細層にEUV、それ以外にDUVを使い分けるため、両技術は長期に併存する。
半導体用フォトレジストの技術別成長機会
今後、EUVフォトレジストは露光層数の増加とHigh-NA EUV導入を追い風に市場をけん引する。2026年9月にはASMLとTSMCが12インチフォトマスクへの移行構想を発表し、先端露光の生産性向上に向けた連携を進めた。高解像度、感度、ラインエッジ粗さ、アウトガス抑制の両立が材料開発の焦点となる。ArFiは28～14nm級などで主力DUV材料として底堅く、ArF Dryはアナログ、PMIC、CIS等の成熟・特殊半導体を支える。KrFは成熟ノードや車載・産業用途、g/i-Lineは厚膜レジストや再配線層（RDL）を含む先端パッケージングで需要が続く。E-beam用はEUVマスク製造の高度化に伴い成長するが、市場規模は限定的である。
半導体用フォトレジストの技術課題と供給網
EUVでは光子数の揺らぎなどによる確率的欠陥が、解像度・感度・粗さのトレードオフを生む。2026年6月公開の研究レビューでは、化学増幅型材料に加え、EUV吸収性とエッチング耐性に優れる金属酸化物レジストが次世代候補として論じられた。住友化学は同年4月、EUV・ArF材料の供給強化に向け大阪に技術センターを新設すると発表。品質評価・分析機能の統合を進めている。米国の半導体関税政策など通商環境の変化も、原料調達や生産拠点の分散を促す要因となる。
半導体用フォトレジスト市場の競争環境と調査範囲
市場はIC製造と先端パッケージングを主用途とし、ポジ型・ネガ型、EUV、ArFi、ArF Dry、KrF、g/i-Line等に分類される。工程別では14nm未満の先端領域、18/22/28～90nmの中間領域、110nm超の成熟領域、DRAM・NANDを対象とする。主要企業にはTOK、JSR、信越化学、DuPont、富士フイルム、住友化学、Dongjin Semichem、Merck（AZ）、SK Materials Performance、Zeon、Allresist、KemLab、YCCHEM、中国の晶瑞電材や南大光電材料などがある。YH Researchの調査は2021～2025年の実績と2026～2032年の予測を基に、世界・日本の企業別販売量、売上、価格、シェア、生産能力、地域別需要、サプライチェーン、新製品・技術動向を分析する。今後は露光方式だけでなく、用途・工程ノード別に材料の供給力と技術対応力を評価することが重要となる。

本記事の内容は、YH Research株式会社の調査レポート「グローバル半導体用フォトレジストのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2026」のデータを基に作成しています。
https://www.yhresearch.co.jp/reports/1259492/semiconductor-photoresist

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